摘要：2017年3月28日，美国阿贡国家实验室材料科学部徐东伟博士后研究员来我校与先进材料与纳米科技学院开展学术交流，并作了题为“利用蒙特卡罗方法研究GaN薄膜的生长”的学术报告．徐东伟博士介绍了利用动力学的蒙特卡洛模拟法从原子层面探索c面和m面GaN生长的研究，在原子层面的晶体生长研究中，晶体表面生长方向和结构的探索对基于GaN的LED和其他高能电子器件技术的开发具有重要意义，并介绍了利用动力学蒙特卡洛模拟对晶体表面同质外延生长机理的研究．
分类：期刊> 自然科学与工程技术> 信息科技> 电子信息科学综合
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关键词：蒙特卡洛模拟法 gan薄膜 蒙特卡罗方法 晶体生长 晶体表面 国家实验室 学术交流 纳米科技
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