摘要：采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计一种低功耗电容交叉耦合低噪声放大器。利用电容交叉耦合结构使电路在不损失功耗的情况下提高电路有效跨导,采用宽增强技术有效的改变电路零极点位置以拓宽电路工作带宽。仿真结果表明,该低噪声放大器工作带宽为6.8GHz,电路噪声系数为2.8dB,功耗为5.35mW,满足LNA电路的性能指标要求。
分类：期刊> 自然科学与工程技术> 信息科技> 电子信息科学综合
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关键词：低噪声放大器 电容交叉耦合 跨导增强 低功耗 宽带宽
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