摘要：氧化锌（ZnO）是II-VI族直接带隙化合物半导体材料,室温下禁带宽度为3.37 e V,激子束缚能高达60me V,是制造蓝紫外发光、探测以及激光器件的理想材料。高质量n型和p型ZnO以及同质p-n结的制备是实现器件化的关键。目前,n型ZnO的制备技术已趋于成熟,但高质量稳定的p型ZnO的缺乏已成为制约其器件化的瓶颈。在过去的十余年里,通过国内外科研工作者的不懈努力,在理论和实验上都取得了显著的成果。本文主要概述了ZnO材料的p型掺杂、p型导电机制以及p-ZnO基光电器件的研究进展,同时初步探索了ZnO材料p型导电稳定性问题。
分类：期刊> 人文社会科学> 社会科学II> 教育综合
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关键词：zno p型掺杂 p型导电机理 光电器件 稳定性
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