摘要：本文使用Geant4模拟了1、5、10、20、50、100、500、1000MeV能量的质子入射GaAs的位移损伤情况。随入射质子能量的增大，产生的初级离位原子（PKA）数目增加、种类增多；PKA能谱分布总体上呈递减趋势，PKA在低能量区间所占份额降低，在高能量区间所占份额升高。研究结果表明，辐射缺陷浓度在质子入射方向上遵循布拉格规律。
分类：期刊> 自然科学与工程技术> 工程科技II> 核科学技术
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关键词：质子 砷化镓 位移损伤 geant4
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