摘要：采用直流电弧等离子辅助法合成了β-SiC纳米分支结构。用扫描电镜和透射电镜,X射线电子能谱和拉曼光谱等对样品进行表征,发现分级生长的SiC纳米线为单晶结构,沿方向生长。β-SiC纳米分支结构通过气-液-固（VSL）机制合成。β-SiC纳米分支结构在425 nm处有一个强的发光峰。
分类：期刊> 自然科学与工程技术> 工程科技II> 工业通用技术及设备
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关键词：纳米分支结构 等离子辅助 真空电弧
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