摘要：采用射频磁控溅射法制备了非晶铟锌钨氧化物（a-IZWO）薄膜和以此半导体薄膜为沟道层的薄膜晶体管。研究了沟道宽长比和退火时间对器件电学性能的影响。结果表明,沟道宽长比为400μm：400μm的器件经过120min200℃空气退火后其电学性能达到最佳,场效应迁移率达到7.29 cm2/Vs,阈值电压为-2.86 V,电流开关比超过10 7,亚阈值摆幅低至0.13 V/decade。偏压稳定性测试结果证实了器件的偏压稳定性主要受到沟道层缺陷、背沟道表面氧离子和H2O＋离子吸附等因素的影响。随着器件沟道宽长比不断增大,退火时间不断延长,器件受到这些因素的影响变小,稳定性越来越好。
分类：期刊> 自然科学与工程技术> 工程科技II> 工业通用技术及设备
收录：北大期刊(中国人文社会科学期刊) > CSCD 中国科学引文数据库来源期刊(含扩展版) > 统计源期刊(中国科技论文优秀期刊) > 知网收录(中) > 维普收录(中) > 万方收录(中) > CA 化学文摘(美) > JST 日本科学技术振兴机构数据库(日) > 国家图书馆馆藏 > 上海图书馆馆藏
关键词：非晶铟锌钨氧化物 薄膜晶体管 电学性能 稳定性
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
