Japanese Journal Of Applied Physics（中文译名：《日本应用物理学杂志》），ISSN：0021-4922，EISSN：1347-4065，是Japan Society of Applied Physics出版的国际性学术期刊，创刊于1962年，以Monthly形式稳定发行，2026年总发文量约841篇。该刊采用非OA开放访问，学科归属为物理 - 物理：应用。该刊是物理与天体物理、物理应用领域的国际权威刊物，已被SCI（科学引文索引）、SCIE（科学引文索引扩展版）、EI（工程索引）等国际主流学术数据库收录。2026年期刊影响因子达1.7，2025年期刊CiteScore为3.1，2025年期刊自引率约23.5%，在中科院期刊分区体系中位列物理与天体物理大类4区，在所属学科领域具备高学术影响力与国际认可度。Japanese Journal Of Applied Physics长期聚焦物理与天体物理、物理应用及相关产业的技术应用前沿，平均审稿周期约2.0个月，审稿流程高效稳定。在稿件录用评判中，该刊将创新性与前沿性作为核心遴选标准，重点收录能够对物理与天体物理、物理应用领域的落地与发展产生实质性推动价值的研究成果。
杂志介绍
JCR分区
Q4
中科院分区
4区
影响因子
1.7
CiteScore
3.1
期刊收录
SCI、SCIE、EI
期刊评价
名词解释：
影响因子（Impact Factor, IF）：指该期刊前两年发表的文章，在第三年的平均被引用次数。它反映了期刊的近期平均影响力和热度。
中科院分区：中科院分区表是国内主流的学术期刊分级评价工具，核心意义是建立跨学科可比的统一评价标尺，为职称评审、学位授予、科研立项等科研管理工作提供标准化量化依据，同时帮助科研人员筛选优质期刊、规避学术风险，适配国内本土化的科研评价需求。
期刊分区表
《新锐期刊分区表》（2026年3月发布）
| 大类学科 | 小类学科 | Top期刊 | 综述期刊 |
|---|---|---|---|
|
物理与天体物理
4区
|
PHYSICS, APPLIED
物理：应用
4区
|
否 | 否 |
期刊分区表（2025年3月升级版）
| 大类学科 | 小类学科 | Top期刊 | 综述期刊 |
|---|---|---|---|
|
物理与天体物理
4区
|
PHYSICS, APPLIED
物理：应用
4区
|
否 | 否 |
期刊分区表（2023年12月升级版）
| 大类学科 | 小类学科 | Top期刊 | 综述期刊 |
|---|---|---|---|
|
物理与天体物理
4区
|
PHYSICS, APPLIED
物理：应用
4区
|
否 | 否 |
JCR分区
2025-2026年最新版
| 按JCI指标学科分区 | 收录子集 | 分区 | 排名 | 百分位 |
|---|---|---|---|---|
| 学科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q4 | 145 / 191 |
24.3 |
| 学科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q4 | 147 / 191 |
23.3 |
2024-2025年最新版
| 按JCI指标学科分区 | 收录子集 | 分区 | 排名 | 百分位 |
|---|---|---|---|---|
| 学科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 138 / 187 |
26.5 |
| 学科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 140 / 187 |
25.4 |
中国学者近期发文
1
Heterogeneously integrated IGZTO-CMOS neuromorphic CIM achieving 34.8 TOPS W-1 and 87.7 fJ write energ2
High-efficiency AWB circuit engine using ultra-lightweight Half-SqueezeNet-DSC architecture with attention-based complexity reductio3
Overcoming the resistivity-roughness trade-off in 3D dynamic random-access memory interconnects via nucleation-modulated atomic layer depositio4
Fabrication of nano-scale blue GaN-based nanopillar array LEDs for near-eye display5
Multi-physics simulation and experimental optimization of diamond deposition in a cylindrical MPCVD reacto6
Study on local and non-local effects: from dimers to overlapping nanowire7
Single-field-plate GaN HEMTs achieving >2400 V breakdown voltage and 106% dynamic on-resistance at 600 V stres8
Period arraying Al-nanometal enhanced photoresponsivity of β-Ga2O3 -based solar-blind deep UV photodetectors via localized surface plasmon resonanc9
Mitigation of hybrid mode responses by increasing SAW velocity difference in TC SAW resonator10
Studies of linear properties of wafer probes and contacts for RF SAW/BAW device characterizatio在线咨询
Japanese Journal Of Applied Physics
国际简称：JPN J APPL PHYS参考译名：日本应用物理学杂志
杂志社联系方式：JAPAN SOC APPLIED PHYSICS, KUDAN-KITA BUILDING 5TH FLOOR, 1-12-3 KUDAN-KITA, CHIYODA-KU, TOKYO, JAPAN, 102-0073
