400-808-1701

Semiconductors

Semiconductors杂志,由Pleiades Publishing出版,于1997年创刊,Monthly,出版语言English,ISSN:1063-7826,E-ISSN:1090-6479。

投稿咨询
Semiconductors
Semiconductors
Semiconductors
SCI SCIE

杂志介绍

JCR分区
Q4
中科院分区
4区
影响因子
1
CiteScore
1.1
期刊收录
SCI、SCIE

Semiconductors(中文译名:《半导体》),ISSN:1063-7826,EISSN:1090-6479,是Pleiades Publishing出版的国际性学术期刊,创刊于1997年,以Monthly形式稳定发行,2026年总发文量约142篇。该刊采用非OA开放访问,学科归属为物理 - 物理:凝聚态物理。该刊是物理与天体物理、物理凝聚态物理领域的国际权威刊物,已被SCI(科学引文索引)、SCIE(科学引文索引扩展版)等国际主流学术数据库收录。2026年期刊影响因子达1,2025年期刊CiteScore为1.1,2025年期刊自引率约20%,在中科院期刊分区体系中位列物理与天体物理大类4区,在所属学科领域具备高学术影响力与国际认可度。Semiconductors长期聚焦物理与天体物理、物理凝聚态物理及相关产业的技术应用前沿,平均审稿周期一般,3-6周,审稿流程高效稳定。在稿件录用评判中,该刊将创新性与前沿性作为核心遴选标准,重点收录能够对物理与天体物理、物理凝聚态物理领域的落地与发展产生实质性推动价值的研究成果。

期刊评价

名词解释:

影响因子(Impact Factor, IF):指该期刊前两年发表的文章,在第三年的平均被引用次数。它反映了期刊的近期平均影响力和热度。

中科院分区:中科院分区表是国内主流的学术期刊分级评价工具,核心意义是建立跨学科可比的统一评价标尺,为职称评审、学位授予、科研立项等科研管理工作提供标准化量化依据,同时帮助科研人员筛选优质期刊、规避学术风险,适配国内本土化的科研评价需求。

期刊分区表

《新锐期刊分区表》(2026年3月发布)

大类学科 小类学科 Top期刊 综述期刊
物理与天体物理
4区
PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚态物理
4区

期刊分区表(2025年3月升级版)

大类学科 小类学科 Top期刊 综述期刊
物理与天体物理
4区
PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚态物理
4区

期刊分区表(2023年12月升级版)

大类学科 小类学科 Top期刊 综述期刊
物理与天体物理
4区
PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚态物理
4区

JCR分区

2025-2026年最新版

按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q4 72 / 81

11.7

学科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q4 76 / 81

6.79

2024-2025年最新版

按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q4 76 / 80

5.6

学科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q4 77 / 80

4.38


中国学者近期发文

1
Electron Structure and Optical Properties Tuning of HfNBr/ZrNBr Heterostructure

Author:Ma, Yaqiang; Yang, Guoliang; Liu, Ming; Wang, Zhen; Dai, Xianqi

Journal: SEMICONDUCTORS. 2026; Vol. 60, Issue 4, pp. 385-395. DOI: 10.1134/S1063782625602043

2
Exciton States in InGaAsP/InP Core-Shell Quantum Dots under Magnetic Fiel

Author:Hu, Min; Yao, HongYan

Journal: SEMICONDUCTORS. 2026; Vol. 60, Issue 4, pp. 443-450. DOI: 10.1134/S1063782625603838

3
AlGaN-based Avalanche Photodiodes with a Graded Al Composition Multiplication Laye

Author:Hou, Fangzhong; Zhang, Liyao

Journal: SEMICONDUCTORS. 2026; Vol. 60, Issue 4, pp. 404-409. DOI: 10.1134/S1063782625604662

4
Preparation and Luminescence Properties of ZnCuAlInS/ZnSe/ZnS Quantum Dot

Author:Xu, Kai; Li, Jingru; Liu, Wenyan

Journal: SEMICONDUCTORS. 2026; Vol. 60, Issue 3, pp. 276-283. DOI: 10.1134/S1063782625603474

5
Design and Performance Optimization of a Nonvolatile Silicon Photonic Switch Using GST-Integrated Concentric Microring Resonator

Author:Zhu, Bingda; Guo, Lijun; Feng, Yuan

Journal: SEMICONDUCTORS. 2026; Vol. 60, Issue 2, pp. 177-184. DOI: 10.1134/S1063782625601736

6
Effect of High-κ Dielectric Gate Stacks and Thickness on Electrical Performance of n-MOSFET Device

Author:Zhang, Mengfan; Wang, Danghui; Xu, Tianhan; Feng, Chaoyu

Journal: SEMICONDUCTORS. 2026; Vol. 60, Issue 1, pp. 114-123. DOI: 10.1134/S1063782625602973

7
Physical Modeling of Threshold Voltage Shift during Recovery Phase in SiC-based Transistor

Author:Mao, Ling-Feng

Journal: SEMICONDUCTORS. 2025; Vol. 59, Issue 4, pp. 350-355. DOI: 10.1134/S1063782624602930


在线咨询

Semiconductors

国际简称:SEMICONDUCTORS+参考译名:半导体

年发文量:142 CiteScore:1.1 是否预警:否 Gold OA文章占比:0.00% 研究类文章占比:100.00%

杂志社联系方式:MAIK NAUKA/INTERPERIODICA/SPRINGER, 233 SPRING ST, NEW YORK, USA, NY, 10013-1578

Semiconductors