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Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics

Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics杂志,由AMER SCIENTIFIC PUBLISHERS出版,于2006年创刊,Tri-annual,出版语言English,ISSN:1555-130X,E-ISSN:1555-1318。

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Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics
Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics
Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics
SCI SCIE

杂志介绍

JCR分区
Q4
中科院分区
4区
影响因子
0.6
期刊收录
SCI、SCIE

Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics(中文译名:《纳米电子学与光电子学杂志》),ISSN:1555-130X,EISSN:1555-1318,是AMER SCIENTIFIC PUBLISHERS出版的国际性学术期刊,创刊于2006年,以Tri-annual形式稳定发行,2026年总发文量约132篇。该刊采用非OA开放访问,学科归属为工程技术 - 工程:电子与电气。该刊是工程技术、工程电子与电气领域的国际权威刊物,已被SCI(科学引文索引)、SCIE(科学引文索引扩展版)等国际主流学术数据库收录。2026年期刊影响因子达0.6,2025年期刊自引率约16.7%,在中科院期刊分区体系中位列工程技术大类4区,在所属学科领域具备高学术影响力与国际认可度。Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics长期聚焦工程技术、工程电子与电气及相关产业的技术应用前沿,平均审稿周期约1.0个月,审稿流程高效稳定。在稿件录用评判中,该刊将创新性与前沿性作为核心遴选标准,重点收录能够对工程技术、工程电子与电气领域的落地与发展产生实质性推动价值的研究成果。

从全球发文格局来看,CHINA MAINLANDIndia、South Korea、Saudi Arabia、Iran、Egypt、Pakistan等为核心发文国家与地区;

期刊评价

名词解释:

影响因子(Impact Factor, IF):指该期刊前两年发表的文章,在第三年的平均被引用次数。它反映了期刊的近期平均影响力和热度。

中科院分区:中科院分区表是国内主流的学术期刊分级评价工具,核心意义是建立跨学科可比的统一评价标尺,为职称评审、学位授予、科研立项等科研管理工作提供标准化量化依据,同时帮助科研人员筛选优质期刊、规避学术风险,适配国内本土化的科研评价需求。

期刊分区表

《新锐期刊分区表》(2026年3月发布)

大类学科 小类学科 Top期刊 综述期刊
工程技术
4区
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用
4区 4区 4区

期刊分区表(2025年3月升级版)

大类学科 小类学科 Top期刊 综述期刊
工程技术
4区
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用
4区 4区 4区

期刊分区表(2023年12月升级版)

大类学科 小类学科 Top期刊 综述期刊
工程技术
4区
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用
4区 4区 4区

JCR分区

2025-2026年最新版

按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 350 / 369

5.3

学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 143 / 148

3.7

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 184 / 191

3.9

学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 354 / 371

4.72

学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 142 / 148

4.39

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 183 / 191

4.45

2024-2025年最新版

按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 348 / 368

5.6

学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 143 / 147

3.1

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 183 / 187

2.4

学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 346 / 368

6.11

学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 138 / 147

6.46

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 178 / 187

5.08


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1
High Performance Core-Shell Structured ZnCo2O4 Nanosheets@Co3O4 Nanowires for Overall Water Splittin

Author:Xu, Songlin; Jia, Kai; Zhao, Rong-Da; Xie, Miao

Journal: JOURNAL OF NANOELECTRONICS AND OPTOELECTRONICS. 2025; Vol. 20, Issue 1, pp. 50-55. DOI: 10.1166/jno.2025.3713

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Realizing High-Performance NiFe Layered Double Hydroxide (LDH) Composite Electrode Materials for Supercapacitor

Author:Xu, Songlin; Jia, Kai; Zhao, Rong-Da; Xie, Miao

Journal: JOURNAL OF NANOELECTRONICS AND OPTOELECTRONICS. 2025; Vol. 20, Issue 1, pp. 16-22. DOI: 10.1166/jno.2025.3712

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Journal: JOURNAL OF NANOELECTRONICS AND OPTOELECTRONICS. 2025; Vol. 20, Issue 1, pp. 56-63. DOI: 10.1166/jno.2025.3715

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Wearable Nanoelectronic Devices for Skin Wound Healin

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Journal: JOURNAL OF NANOELECTRONICS AND OPTOELECTRONICS. 2025; Vol. 20, Issue 1, pp. 92-100. DOI: 10.1166/jno.2025.3702

7
Low-Carbon Operation of Electrical Power System via Gradient-Based Optimization for Various Generator

Author:Li, Yiquan; Dai, Yue; Guo, Wenxin; Lu, Jiangang; Zhao, Ruifeng; Li, Shiming; Huang, Yanlu

Journal: JOURNAL OF NANOELECTRONICS AND OPTOELECTRONICS. 2025; Vol. 20, Issue 1, pp. 84-91. DOI: 10.1166/jno.2025.3704


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Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics

国际简称:J NANOELECTRON OPTOE参考译名:纳米电子学与光电子学杂志

年发文量:132 是否预警:否 Gold OA文章占比:0.00% 研究类文章占比:99.24%

杂志社联系方式:AMER SCIENTIFIC PUBLISHERS, 25650 NORTH LEWIS WAY, STEVENSON RANCH, USA, CA, 91381-1439

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