《Journal Of Vacuum Science And Technology B:nanotechnology And Microelectronics》期刊

杂志介绍

中科院分区

4区

影响因子

1.511

CiteScore

2.5

期刊收录

SCI、SCIE

Journal Of Vacuum Science And Technology B:nanotechnology And Microelectronics（中文译名：《真空科学与技术杂志B:纳米技术与微电子学》），ISSN：2166-2746，EISSN：2166-2754，是AVS Science and Technology Society出版的国际性学术期刊，创刊于1983年，以6 issues/year形式稳定发行，该刊采用非OA开放访问，学科归属为Materials Science - Materials Chemistry。该刊是工程技术、工程电子与电气领域的国际权威刊物，已被SCI（科学引文索引）、SCIE（科学引文索引扩展版）等国际主流学术数据库收录。2025年期刊CiteScore为2.5，在中科院期刊分区体系中位列工程技术大类4区，在所属学科领域具备高学术影响力与国际认可度。Journal Of Vacuum Science And Technology B:nanotechnology And Microelectronics长期聚焦工程技术、工程电子与电气及相关产业的技术应用前沿，在稿件录用评判中，该刊将创新性与前沿性作为核心遴选标准，重点收录能够对工程技术、工程电子与电气领域的落地与发展产生实质性推动价值的研究成果。

期刊评价

名词解释：

影响因子（Impact Factor, IF）：指该期刊前两年发表的文章，在第三年的平均被引用次数。它反映了期刊的近期平均影响力和热度。

中科院分区：中科院分区表是国内主流的学术期刊分级评价工具，核心意义是建立跨学科可比的统一评价标尺，为职称评审、学位授予、科研立项等科研管理工作提供标准化量化依据，同时帮助科研人员筛选优质期刊、规避学术风险，适配国内本土化的科研评价需求。

期刊分区表

《新锐期刊分区表》（2026年3月发布）

大类学科	小类学科	Top期刊	综述期刊
工程技术 4区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 4区 4区 4区	否	否

期刊分区表（2025年3月升级版）

大类学科	小类学科	Top期刊	综述期刊
工程技术 4区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 4区 4区 4区	否	否

期刊分区表（2023年12月升级版）

大类学科	小类学科	Top期刊	综述期刊
工程技术 4区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 4区 4区 4区	否	否

中国学者近期发文

Optimizing photoresist linewidth roughness in ion beam shaping: A systematic study of stage angular configuratio

Author:Wu, Xiaojian; Dong, Shuo; Xu, Kaidong; Zhuang, Shiwei

Journal: JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B. 2026; Vol. 44, Issue 3, pp. -. DOI: 10.1116/6.0005220

Dual-gate Hf-doped InZnO field-effect transistors with sub-0.1 V threshold voltage shift under bias stres

Author:Li, Tiaoyang; Hu, Rongling

Journal: JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B. 2026; Vol. 44, Issue 3, pp. -. DOI: 10.1116/6.0005363

Multiphysics simulation of non-uniform magnetic fields' effect on plasma uniformity in capacitively coupled plasma

Author:Cui, Yu-Meng; Liu, Ze-Xuan; Zhang, Si-Bo; Chen, Long; Zhang, Quan-Zhi

Journal: JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B. 2026; Vol. 44, Issue 3, pp. -. DOI: 10.1116/6.0005370

Parametric study and performance evaluation of the louver structure in the pumping pipeline of electron beam evaporation coating equipmen

Author:Yuan, Zuhao; Li, Yong; She, Pengcheng; Gong, Jun; Shi, Renping; He, Qiufu; Liu, Fangting; Li, Junhui

Journal: JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B. 2026; Vol. 44, Issue 3, pp. -. DOI: 10.1116/6.0005283

Ag-doping induced enhancement in power factor of flexible n-type Bi2Te2.7Se0.3 thin film

Author:Tian, Xujiang; Wu, Chonghao; Ma, Congming; Liang, Shaojun; Zhu, Hanming; Yue, Song

Journal: JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B. 2026; Vol. 44, Issue 3, pp. -. DOI: 10.1116/6.0005314

Study on the imaging of bright-field and dark-field for contact holes in extreme ultraviolet lithography considering stage vibration effect

Author:Shen, Hao; Zhang, Libin; Wang, Jiashuo; Rui, Dinghai; Su, Yajuan; Wei, Yayi

Journal: JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B. 2026; Vol. 44, Issue 3, pp. -. DOI: 10.1116/6.0005261

Optimization of key process parameters for cobalt sputtering in 0.11 μm CMOS device

Author:Wang, Furong; Xu, Shaohui; Song, Zhenhua; Zhang, Yan; Zhou, Yaohui; Li, Mincheng

Journal: JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B. 2026; Vol. 44, Issue 2, pp. -. DOI: 10.1116/6.0005238

Simulation and deposition experimental study of a microwave plasma chemical vapor deposition device with an oblique cone structure desig

Author:Hu, Jibo; Zhu, Xiaoxiang; Zhao, Shusen; Wang, Huibin; Zhao, Yapei

Journal: JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B. 2026; Vol. 44, Issue 2, pp. -. DOI: 10.1116/6.0004980

Analysis of particle defects on cleaned GaSb substrate

Author:Bai, Yihan; Zhao, Youwen; Li, Chenhui; Yang, Wenwen; Lv, Xinyu; Fan, Jiangtao; Shen, Guiying

Journal: JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B. 2026; Vol. 44, Issue 2, pp. -. DOI: 10.1116/6.0005014

Maxwell design of the magnetic field in an unbalanced magnetron system for optimization toward sputtering of Al-Si allo

Author:Su, Zhiwei; Yan, Caibo; Liu, Yaoyao; Zhou, Yanwen

Journal: JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B. 2026; Vol. 44, Issue 2, pp. -. DOI: 10.1116/6.0005093

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