Microelectronics Journal（中文译名：《微电子杂志》），ISSN：0026-2692，EISSN：1879-2391，是Elsevier出版的国际性学术期刊，创刊于1967年，以Monthly形式稳定发行，2026年总发文量约386篇。该刊采用非OA开放访问，学科归属为工程技术 - 工程：电子与电气。该刊是工程技术、工程电子与电气领域的国际权威刊物，已被SCI（科学引文索引）、SCIE（科学引文索引扩展版）、EI（工程索引）等国际主流学术数据库收录。2026年期刊影响因子达2.2，2025年期刊CiteScore为4.2，2025年期刊自引率约27.3%，在中科院期刊分区体系中位列工程技术大类3区，在所属学科领域具备高学术影响力与国际认可度。Microelectronics Journal长期聚焦工程技术、工程电子与电气及相关产业的技术应用前沿，平均审稿周期约3.0个月，审稿流程高效稳定。在稿件录用评判中，该刊将创新性与前沿性作为核心遴选标准，重点收录能够对工程技术、工程电子与电气领域的落地与发展产生实质性推动价值的研究成果。
杂志介绍
JCR分区
Q3
中科院分区
3区
影响因子
2.2
CiteScore
4.2
期刊收录
SCI、SCIE、EI
期刊评价
名词解释：
影响因子（Impact Factor, IF）：指该期刊前两年发表的文章，在第三年的平均被引用次数。它反映了期刊的近期平均影响力和热度。
中科院分区：中科院分区表是国内主流的学术期刊分级评价工具，核心意义是建立跨学科可比的统一评价标尺，为职称评审、学位授予、科研立项等科研管理工作提供标准化量化依据，同时帮助科研人员筛选优质期刊、规避学术风险，适配国内本土化的科研评价需求。
期刊分区表
《新锐期刊分区表》（2026年3月发布）
| 大类学科 | 小类学科 | Top期刊 | 综述期刊 |
|---|---|---|---|
|
工程技术
3区
|
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
工程：电子与电气
NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY
纳米科技
3区
3区
|
否 | 否 |
期刊分区表（2025年3月升级版）
| 大类学科 | 小类学科 | Top期刊 | 综述期刊 |
|---|---|---|---|
|
工程技术
3区
|
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
工程：电子与电气
NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY
纳米科技
3区
4区
|
否 | 否 |
期刊分区表（2023年12月升级版）
| 大类学科 | 小类学科 | Top期刊 | 综述期刊 |
|---|---|---|---|
|
工程技术
3区
|
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
工程：电子与电气
NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY
纳米科技
3区
4区
|
否 | 否 |
JCR分区
2025-2026年最新版
| 按JCI指标学科分区 | 收录子集 | 分区 | 排名 | 百分位 |
|---|---|---|---|---|
| 学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 229 / 369 |
38.1 |
| 学科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY | SCIE | Q4 | 120 / 148 |
19.3 |
| 学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 250 / 371 |
32.75 |
| 学科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY | SCIE | Q3 | 104 / 148 |
30.07 |
2024-2025年最新版
| 按JCI指标学科分区 | 收录子集 | 分区 | 排名 | 百分位 |
|---|---|---|---|---|
| 学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 198 / 368 |
46.3 |
| 学科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY | SCIE | Q4 | 114 / 147 |
22.8 |
| 学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 237 / 368 |
35.73 |
| 学科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY | SCIE | Q3 | 98 / 147 |
33.67 |
中国学者近期发文
1
A wideband low-phase-noise VCO with low-coupled 8-shaped inducto2
Deep cryogenic high dynamic range readout circuit for short-wave infrared focal plane array3
CNM-MNPO: A Compute-Near-Memory FPGA architecture with a mesh NoC placement optimizatio4
End-to-end ADC digital calibration via multi-output compression-recovery networ5
A compact 26.5-29.5 GHz high-gain power amplifier based on an interleaved topology in 40-nm CMO6
A 60V chopper amplifier achieving 3 μV VOS with adaptive input bias current compensatio7
A 200-MS/s 12-b synchronous SAR ADC with low noise comparator in 28-nm CMO8
A 10-bit 50-MS/s SAR ADC employing PN-assisted LMS calibration and robust register logic achieving 78.4-dB SFD9
Modulating surface trapping and electric-field distribution in 0.1 μm GaN HEMTs via localized cap-layer engineerin10
A low-power multiple network-on-chip power-gating design with bypass mechanis在线咨询
Microelectronics Journal
国际简称：MICROELECTRON J参考译名：微电子杂志
杂志社联系方式：ELSEVIER SCI LTD, THE BOULEVARD, LANGFORD LANE, KIDLINGTON, OXFORD, ENGLAND, OXON, OX5 1GB
