首页 国际期刊 工程技术期刊 期刊详情(非官网)
400-808-1701

Microelectronic Engineering

Microelectronic Engineering杂志,由Elsevier出版,于1983年创刊,Monthly,出版语言English,ISSN:0167-9317,E-ISSN:1873-5568。

投稿咨询
Microelectronic Engineering
Microelectronic Engineering
Microelectronic Engineering
SCI SCIE EI

杂志介绍

JCR分区
Q2
中科院分区
3区
影响因子
3.3
CiteScore
7.4
期刊收录
SCI、SCIE、EI

Microelectronic Engineering(中文译名:《微电子工程》),ISSN:0167-9317,EISSN:1873-5568,是Elsevier出版的国际性学术期刊,创刊于1983年,以Monthly形式稳定发行,2026年总发文量约85篇。该刊采用非OA开放访问,学科归属为工程技术 - 工程:电子与电气。该刊是工程技术、工程电子与电气领域的国际权威刊物,已被SCI(科学引文索引)、SCIE(科学引文索引扩展版)、EI(工程索引)等国际主流学术数据库收录。2026年期刊影响因子达3.3,2025年期刊CiteScore为7.4,2025年期刊自引率约0%,在中科院期刊分区体系中位列工程技术大类3区,在所属学科领域具备高学术影响力与国际认可度。Microelectronic Engineering长期聚焦工程技术、工程电子与电气及相关产业的技术应用前沿,平均审稿周期约6.0个月,审稿流程高效稳定。在稿件录用评判中,该刊将创新性与前沿性作为核心遴选标准,重点收录能够对工程技术、工程电子与电气领域的落地与发展产生实质性推动价值的研究成果。

从全球发文格局来看,CHINA MAINLANDSouth Korea、France、USA、Japan、GERMANY (FED REP GER)、India等为核心发文国家与地区;

期刊评价

名词解释:

影响因子(Impact Factor, IF):指该期刊前两年发表的文章,在第三年的平均被引用次数。它反映了期刊的近期平均影响力和热度。

中科院分区:中科院分区表是国内主流的学术期刊分级评价工具,核心意义是建立跨学科可比的统一评价标尺,为职称评审、学位授予、科研立项等科研管理工作提供标准化量化依据,同时帮助科研人员筛选优质期刊、规避学术风险,适配国内本土化的科研评价需求。

期刊分区表

《新锐期刊分区表》(2026年3月发布)

大类学科 小类学科 Top期刊 综述期刊
工程技术
3区
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 OPTICS 光学 PHYSICS, APPLIED 物理:应用
3区 3区 3区 3区

期刊分区表(2025年3月升级版)

大类学科 小类学科 Top期刊 综述期刊
工程技术
3区
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 OPTICS 光学 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技
3区 3区 3区 4区

期刊分区表(2023年12月升级版)

大类学科 小类学科 Top期刊 综述期刊
工程技术
4区
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 OPTICS 光学 PHYSICS, APPLIED 物理:应用
4区 4区 4区 4区

JCR分区

2025-2026年最新版

按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 156 / 369

57.9

学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q3 94 / 148

36.8

学科:OPTICS SCIE Q2 47 / 129

64

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 83 / 191

56.8

学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 176 / 371

52.7

学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q3 77 / 148

48.31

学科:OPTICS SCIE Q3 65 / 129

50

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 81 / 191

57.85

2024-2025年最新版

按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 152 / 368

58.8

学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q3 91 / 147

38.4

学科:OPTICS SCIE Q2 45 / 125

64.4

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 75 / 187

60.2

学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 174 / 368

52.85

学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q3 79 / 147

46.6

学科:OPTICS SCIE Q3 67 / 125

46.8

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 84 / 187

55.35


中国学者近期发文

1
Reconfigurable ferroelectric GAAFET architectures for advanced logic circuit

Author:Xu, Chenhao; Wang, Zhibin; Chen, Shuxin; Wang, Wunan; Zhu, Kaichen; Wu, Fan; Li, Wenwu

Journal: MICROELECTRONIC ENGINEERING. 2026; Vol. 305, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mee.2026.112468

2
Readout scheme in analog computing-in-memory: Review of design principles and recent progres

Author:Zhang, Shizeng; Huang, Pingyang; You, Haitao; Wu, Xinyu; Chen, Wei; Zhang, Li; Cui, Qiang

Journal: MICROELECTRONIC ENGINEERING. 2026; Vol. 305, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mee.2026.112466

3
Overclocking-tolerant and all on-chip CIM processor for energy-efficient edge lightweight AI inference through custom SOT-MRAM and algorithm-circuit synerg

Author:Jiang, Xinpeng; Sun, Sifan; Li, Shaoyi; Zhang, Tuo; Yu, Anyang; Liu, Sijia; Li, Haonan; Sun, Chengyuan; Liu, Hongxi; Li, Xuan; Jin, Hui; Cao, Kaihua; Wang, Zhaohao; Zhang, He; Zhao, Weisheng

Journal: MICROELECTRONIC ENGINEERING. 2026; Vol. 305, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mee.2026.112467

4
Tailoring Ga2O3 for solar-blind UV photodetectors: A comprehensive review of materials, techniques, and application

Author:Long, Guanhao; Zhu, Mingqiang; Deng, Tao

Journal: MICROELECTRONIC ENGINEERING. 2026; Vol. 305, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mee.2026.112456

5
Multi-threshold reservoir computing system for high-efficiency temporal signal processin

Author:Luo, Yi-Qing; Xu, Zheng-Wei; Xu, Jian-Long; Gao, Xu; Zhong, Ya-Nan; Wang, Sui-Dong

Journal: MICROELECTRONIC ENGINEERING. 2026; Vol. 305, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mee.2026.112465

6
Proposal of a compact plasmonic structure for implementing all-optical logic gates in the C-ban

Author:Yan, Cai; Afshari-Bavil, Mehdi; Rezaei, Mir Hamid

Journal: MICROELECTRONIC ENGINEERING. 2026; Vol. 304, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mee.2026.112454

7
An electromagnetic study of scalability of Si3N4 optical waveguides for 3D nanophotonic integration with CMOS electronics in AI er

Author:Zhou, Wenli; Yao, Rui (Ray); Lam, Sang

Journal: MICROELECTRONIC ENGINEERING. 2026; Vol. 304, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mee.2025.112440

8
A product qualification vehicle (PQV) for accelerated yield learning and efficient fault isolation in 28 nm HKMG technologies by capturing LDE and BEOL weak pattern

Author:Cai, Enjing; Zhou, Limin; Chen, Qiang; Zhang, David Wei; Sun, Qingqing; Zhu, Hao

Journal: MICROELECTRONIC ENGINEERING. 2026; Vol. 304, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mee.2026.112452

9
Dependence of single-pulse avalanche ruggedness in μH inductor circuit on SiC MOSFETs structur

Author:Lai, Lingling; Liu, Zhixin; Cui, Yingxin; Zeng, Fanpeng; Huang, Litian; Gong, Shoulai; Cheong, Kuan Yew; Han, Jisheng

Journal: MICROELECTRONIC ENGINEERING. 2026; Vol. 304, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mee.2026.112453

10
Research on stress mutation of fiber optic gyroscop

Author:Wu, Daixuan; Lu, Boshang; Xu, Zhiyuan; Li, Qian; Wang, Jian; Xun, Wei; Zhao, Hu

Journal: MICROELECTRONIC ENGINEERING. 2025; Vol. 300, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.mee.2025.112362


在线咨询

Microelectronic Engineering

国际简称:MICROELECTRON ENG参考译名:微电子工程

年发文量:85 CiteScore:7.4 是否预警:否 Gold OA文章占比:19.05% 研究类文章占比:89.41%

杂志社联系方式:ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, AMSTERDAM, NETHERLANDS, 1000 AE

Microelectronic Engineering