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Ieee Journal Of Quantum Electronics

Ieee Journal Of Quantum Electronics杂志,由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版,于1965年创刊,Monthly,出版语言English,ISSN:0018-9197,E-ISSN:1558-1713。

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Ieee Journal Of Quantum Electronics
Ieee Journal Of Quantum Electronics
Ieee Journal Of Quantum Electronics
SCI SCIE EI

杂志介绍

JCR分区
Q3
中科院分区
3区
影响因子
1.9
CiteScore
4.2
期刊收录
SCI、SCIE、EI

Ieee Journal Of Quantum Electronics(中文译名:《IEEE量子电子学杂志》),ISSN:0018-9197,EISSN:1558-1713,是Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版的国际性学术期刊,创刊于1965年,以Monthly形式稳定发行,2026年总发文量约87篇。该刊采用非OA开放访问,学科归属为工程技术 - 工程:电子与电气。该刊是工程技术、工程电子与电气领域的国际权威刊物,已被SCI(科学引文索引)、SCIE(科学引文索引扩展版)、EI(工程索引)等国际主流学术数据库收录。2026年期刊影响因子达1.9,2025年期刊CiteScore为4.2,2025年期刊自引率约0%,在中科院期刊分区体系中位列工程技术大类3区,在所属学科领域具备高学术影响力与国际认可度。Ieee Journal Of Quantum Electronics长期聚焦工程技术、工程电子与电气及相关产业的技术应用前沿,平均审稿周期约3.0个月,审稿流程高效稳定。在稿件录用评判中,该刊将创新性与前沿性作为核心遴选标准,重点收录能够对工程技术、工程电子与电气领域的落地与发展产生实质性推动价值的研究成果。

从全球发文格局来看,CHINA MAINLANDUSA、France、England、India、Canada、Russia等为核心发文国家与地区;CHINESE ACADEMY OF SCIENCESCENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS)、NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY & NATIONAL INSTITUTE OF EDUCATION (NIE) SINGAPORE、RUSSIAN ACADEMY OF SCIENCES、UNIVERSITY OF CALIFORNIA SYSTEM、INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (IIT SYSTEM)、SHANGHAITECH UNIVERSITY等高校与科研机构是期刊的主要发文单位。

期刊评价

名词解释:

影响因子(Impact Factor, IF):指该期刊前两年发表的文章,在第三年的平均被引用次数。它反映了期刊的近期平均影响力和热度。

中科院分区:中科院分区表是国内主流的学术期刊分级评价工具,核心意义是建立跨学科可比的统一评价标尺,为职称评审、学位授予、科研立项等科研管理工作提供标准化量化依据,同时帮助科研人员筛选优质期刊、规避学术风险,适配国内本土化的科研评价需求。

期刊分区表

《新锐期刊分区表》(2026年3月发布)

大类学科 小类学科 Top期刊 综述期刊
工程技术
3区
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 QUANTUM SCIENCE & TECHNOLOGY 量子科技 OPTICS 光学 PHYSICS, APPLIED 物理:应用
3区 4区 3区 3区

期刊分区表(2025年3月升级版)

大类学科 小类学科 Top期刊 综述期刊
工程技术
3区
OPTICS 光学 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 QUANTUM SCIENCE & TECHNOLOGY 量子科技
3区 3区 4区 4区

期刊分区表(2023年12月升级版)

大类学科 小类学科 Top期刊 综述期刊
工程技术
3区
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 OPTICS 光学 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 QUANTUM SCIENCE & TECHNOLOGY 量子科技
3区 3区 3区 4区

JCR分区

2025-2026年最新版

按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 255 / 369

31

学科:OPTICS SCIE Q3 79 / 129

39.1

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 138 / 191

28

学科:QUANTUM SCIENCE & TECHNOLOGY SCIE Q3 21 / 28

26.8

学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 213 / 371

42.72

学科:OPTICS SCIE Q3 79 / 129

39.15

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 108 / 191

43.72

学科:QUANTUM SCIENCE & TECHNOLOGY SCIE Q3 21 / 28

26.79

2024-2025年最新版

按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 214 / 368

42

学科:OPTICS SCIE Q3 74 / 125

41.2

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 123 / 187

34.5

学科:QUANTUM SCIENCE & TECHNOLOGY SCIE Q3 19 / 28

33.9

学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 186 / 368

49.59

学科:OPTICS SCIE Q3 73 / 125

42

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 94 / 187

50

学科:QUANTUM SCIENCE & TECHNOLOGY SCIE Q3 19 / 28

33.93


中国学者近期发文

1
Manganese (II) Coordination Polymer as a Nonlinear Saturable Absorber for Mode-Locking at 1-micro

Author:Lutfi, M. A. M.; Ahmad, H.; Zaini, M. K. A.; Samion, M. Z.; Yusoff, N.; Hussein, Mousa; Thambiratnam, K.; Mahmoodin, Z.; Sun, S

Journal: IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS. 2026; Vol. 62, Issue 4, pp. -. DOI: 10.1109/JQE.2026.3684005

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Influence of 4F5/2 Relaxation on Laser Efficiency in Nd-Doped Fibe

Author:Lin, Zhiquan; Wang, Yafei; Wu, Bo; Guo, Mengting; Wang, Meng; Zhang, Lei; Yang, Dingyu; Wang, Shikai; Yu, Chunlei; Hu, Lili

Journal: IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS. 2026; Vol. 62, Issue 3, pp. -. DOI: 10.1109/JQE.2025.3624323

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Cryogenic to Room-Temperature Characterization of Modified Uni-Traveling-Carrier Photodiode

Author:Gu, Dingran; Chen, Qiushi; Li, Linze; Wang, Luyu; Zhu, Liqi; Tang, Zhidong; He, Chang; Lu, Juanjuan; Kou, Xufeng; Chen, Baile

Journal: IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS. 2026; Vol. 62, Issue 3, pp. -. DOI: 10.1109/JQE.2026.3678492

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High-Precision Fluorescent Temperature Probe Based on FIR Method for Human Body Temperature Measuremen

Author:Gao, Qian; Xiao, Xianglong; Huang, Lihui; Zhao, Shilong; Wang, Xiuli

Journal: IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS. 2026; Vol. 62, Issue 3, pp. -. DOI: 10.1109/JQE.2026.3682688

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Numerically Investigating the Impact of High-k Buried Field-Plate Termination on the Catastrophic Mirror Failure for GaN-Based Laser Diode

Author:Zhang, Qiong; Tian, Kangkai; Chu, Chunshuang; Zhang, Yonghui; Zheng, Quan; Li, Qing; Sun, Xiao Wei; Zhang, Zi-Hui

Journal: IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS. 2026; Vol. 62, Issue 2, pp. -. DOI: 10.1109/JQE.2026.3665619

6
Broadband Supercontinuum Generation for Orbital Angular Momentum Modes in Graded-Index Double-Ring-Core Fibe

Author:Peng, Qinru; Geng, Wenpu; Zhang, Yiwen; Dong, Yongbo; Pan, Zhongqi; Yue, Yang

Journal: IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS. 2026; Vol. 62, Issue 2, pp. -. DOI: 10.1109/JQE.2026.3667098

7
Beyond Two-Octave Supercontinuum Generation for OAM Modes in Fluoride Fibe

Author:Ren, Haoyang; Wu, Xiaoke; Geng, Wenpu; Yang, Jian; Wang, Yuetian; Pan, Zhongqi; Yue, Yang

Journal: IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS. 2026; Vol. 62, Issue 2, pp. -. DOI: 10.1109/JQE.2026.3653657

8
Numerical Model and Experimental Validation of Visible Q-Switched Holmium-Doped Fiber Laser

Author:Fei, Yaolin; Zou, Qiuyue; Zhong, Dailiang; Shi, Wei; Ma, Yao; Xu, Liujing; Li, Wensong

Journal: IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS. 2026; Vol. 62, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1109/JQE.2025.3645768

9
Experimental Demonstration of 150-Channel REC-DFB Laser Array Based on Asymmetric Multiple-Quantum-Wel

Author:Zhang, Yue; Sun, Zhenxing; Xiao, Rulei; Chen, Xiangfei

Journal: IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS. 2025; Vol. 61, Issue 3, pp. -. DOI: 10.1109/JQE.2025.3572831

10
Graphene-Based Integrated Optical Phase Modulator at Visible Wavelength

Author:Meng, Qing; Fu, Jiasheng; Xue, Zhongying; Tian, Ziao; Cai, Yan; Zhang, Miao; Wang, Zheng; Di, Zengfeng

Journal: IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS. 2025; Vol. 61, Issue 3, pp. -. DOI: 10.1109/JQE.2025.3577472


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Ieee Journal Of Quantum Electronics

国际简称:IEEE J QUANTUM ELECT参考译名:IEEE量子电子学杂志

年发文量:87 CiteScore:4.2 是否预警:否 Gold OA文章占比:9.87% 研究类文章占比:100.00%

杂志社联系方式:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141

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